HP 멤리스터를 이용한 차우스 혼돈 발진기 구현

** 본 논문은 차우스 혼돈 발진기의 핵심 비선형 저항을 기존의 두 개의 반대 방향 다이오드 구현에 HP 멤리스터를 병렬로 추가함으로써 혼돈 특성을 강화하고 전력 효율을 소폭 개선한 새로운 회로 설계를 제안한다. 서론에서는 멤리스터가 1971년 차우에 의해 이론적으로 제시된 뒤 2008년 HP에서 실현된 배경을 설명하고, 멤리스터가 메모리 기능과 비선형 특성을 동시에 제공함으로써 혼돈 회로에 적합한 소자임을 강조한다. 기존 연구들을 검토하면서, 대부분이 멤리스터를 차우스 회로에 단일 비선형 소자로만 적용했으며, 다이오드와 멤리스터를 동시에 활용한 사례는 없었다는 점을 지적한다. 배경 섹션에서는 HP 멤리스터의 물리적 구조(산화 티타늄 박막, 플래티넘 전극)와 전기적 모델을 상세히 제시한다. 멤리스터의 저항은 도핑된 영역과 비도핑 영역의 저항(R_on, R_off)의 직렬 결합으로 표현되며, 도핑 영역 길이 w(t)는 전류에 따라 변한다. 기본 I‑V 식(v =